IBM ha svelato una svolta nella progettazione e nel processo dei semiconduttori per lo sviluppo del primo chip al mondo annunciato con la tecnologia a 2 nanometri (nm) nanosheet.
IBM ha annunciato oggi, come riportato da Anandtech, di aver realizzato il primo chip per nodi di produzione a 2nm del mondo.
Il passaggio ai 2nm consentirà di migliorare le prestazioni del 45% a parità di potenza, o consumare il 75% di energia a parità di prestazioni, rispetto agli attuali processori a 7nm.
Sarà possibile stipare “50 miliardi di transistor su un chip delle dimensioni di un’unghia” (facendo riferimento ad un’area di 150mm²), quindi con una densità di 333 milioni per mm², sebbene questo valore sia presumibilmente quello di picco.
Stando alle informazioni diffuse da IBM, il chip utilizza un design GAA a triplo stack che impiega un’altezza della cella di 75nm, una larghezza della cella di 40nm, i singoli nanosheet misurano 5nm in altezza e sono separati da 5nm.
Il gate poly pitch è di 44nm, mentre la lunghezza dei gate è di 12nm.
IBM ha affermato che si tratta del primo design a usare bottom dieletric isolation channel, il quale permette di ottenere gate lunghi 12nm, e che i suoi distanziatori interni sono realizzati con un processo che aiuta la creazione di nanosheet.
